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SiC激光退火設(shè)備

SiC激光退火設(shè)備

產(chǎn)品特點(diǎn) 1.整機(jī)模塊化設(shè)計(jì)與集成，兼容4、6、8英寸薄片晶圓；
2.集成自研成熟先進(jìn)激光整形技術(shù)，光斑能量高度均勻、穩(wěn)定；
3.退火后表面均勻、平整，優(yōu)秀的電學(xué)特性及表面形貌特征表現(xiàn)；
4.嚴(yán)格控制腔體含氧量，有效控制表面碳析出量和分布；
5.配置監(jiān)控與補(bǔ)償系統(tǒng)，監(jiān)測(cè)光學(xué)能量穩(wěn)定性和非退火面溫度；
6.配備EFEM傳輸系統(tǒng)，整機(jī)符合SEMI標(biāo)準(zhǔn)，支持SECS-GEM通信。

產(chǎn)品應(yīng)用

適用于對(duì)重?fù)诫s碳化硅（SiC）表面沉積的過渡金屬進(jìn)行退火，形成良好的歐姆接觸。


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產(chǎn)品參數(shù)

可加工品圓尺寸
4inch、6inch、8inch
薄片退火支持
光斑整形平頂光
光斑均勻性>95%
能量穩(wěn)定性≤1%
比電阻接觸率≤5×10^(-5)Ω.cm2
表面溫度Amnealedgurtece>1500℃.NOn=ann日ledsurlaco<100℃
腔體含氧量N2/Ar： 99.99%，<100ppm@25s
運(yùn)動(dòng)平臺(tái)精度

直線度：±1μm

重復(fù)定位精度：±1μm

品圓傳輸

Automatic transferring

(compatible to wafer or wafer/w carrier)


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