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LPCVD 鍍膜機

產(chǎn)品特點 1.成熱的高產(chǎn)能工藝、雙模溫度控制技術(shù)、薄膜硅保護技術(shù):
2.具備多種鍍膜技術(shù)：多層復(fù)合膜，摻雜多晶硅技術(shù);
3.專利快速降溫爐體：最新專利技術(shù)使爐體溫度快速降到所需溫度，降溫速率提升25%以上，明顯提升爐管內(nèi)溫度均勻性；
4.快速自適應(yīng)壓力閉環(huán)控制技術(shù)；
5.架構(gòu)完整，性能突出的MES/CCRM系統(tǒng)；
6.一體化工控機+模塊化工藝控制軟件；
7.全面的停電安全處理和法蘭水異常保護。

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產(chǎn)品應(yīng)用

適用于半導體和光伏領(lǐng)域，針對于光伏領(lǐng)域TOPCon工藝電池，LPCVD設(shè)備可一站式完成隧穿氧化層/Poly層的制備。熱氧和淀積Poly層兩個工藝合二為一能夠大幅度提高產(chǎn)能，同時兼容i/d -Poly生長工藝。

產(chǎn)品參數(shù)

項目	技術(shù)指標
成膜種類	SiOx, i/d-Poly-Si
裝片尺寸	垂直裝片方式：2880片/批(182mm),2200片/批(210mm)
膜厚均勻性	Si0x均勻性：厚度1-3nm可調(diào)，精度0.1nm,用拋光片測試SiOx厚度； Poly均勻性：厚度50-200nm可調(diào)，精度1nm,用拋光片測試Poly厚度，片內(nèi)：≤4%,;片間≤4%;批間≤3%(>100nm時)
UP-TIME	≥95%
工作溫度范圍	400-750℃
溫度控制	6點控溫，內(nèi)外雙?？刂?/span>
升溫方式	自動斜率升溫及快速恒溫功能
降溫方式	最新專利技術(shù)，6溫區(qū)分段控制主動降溫爐體
恒溫區(qū)精度及長度	±1℃/2800mm(550-700℃)
單點溫度穩(wěn)定度	1±℃/6H
升溫時間	RT→750℃≤45min
降溫速率	≥5℃/min
溫度控制	雙模精確控制
系統(tǒng)極限真空度	<3Pa
系統(tǒng)漏氣率	停泵關(guān)閥后壓力升率<2Pa/min
壓力控制方式	快速調(diào)整全自動閉環(huán)
工藝控制式	工藝過程全自動控制，多重安全連鎖報警
人機交互界面	LCD顯示、觸摸操作、工藝編輯、在線監(jiān)控、權(quán)限管理、班組管理、組網(wǎng)功能
MES/CCRM	具有

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