大族激光榮獲2023年度國家科學(xué)技術(shù)進步獎二等獎

作者：大族激光發(fā)布時間：2024/06/25

6月24日，全國科技大會、國家科學(xué)技術(shù)獎勵大會、兩院院士大會在京召開，2023年度國家科學(xué)技術(shù)獎揭曉，共評選出250個項目。其中，大族激光聯(lián)合廣東工業(yè)大學(xué)等完成的“面向高性能芯片的高密度互連封裝制造關(guān)鍵技術(shù)及裝備”榮獲國家科技進步獎二等獎。

“面向高性能芯片的高密度互連封裝制造關(guān)鍵技術(shù)及裝備”項目由廣東省提名，是大族激光與廣東工業(yè)大學(xué)、廣東佛智芯微電子技術(shù)研究有限公司、安捷利美維電子(廈門)有限責(zé)任公司等單位長期合作取得的研究成果。

· 關(guān)于項目

后摩爾時代，以芯片高密度互連為特征的先進封裝技術(shù)延續(xù)摩爾定律，并成為行業(yè)技術(shù)進步與競爭的新賽道。面向高性能芯片的高密度互連封裝制造技術(shù)成為行業(yè)國際技術(shù)競爭焦點。

電子制造產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展事關(guān)國家經(jīng)濟安全與國防安全。大族激光與廣東工業(yè)大學(xué)陳新教授團隊等長期深入產(chǎn)學(xué)研合作，突破半導(dǎo)體激光精細加工技術(shù)與裝備多項關(guān)鍵技術(shù)，形成行業(yè)領(lǐng)先優(yōu)勢，成果獲得國內(nèi)國際一流龍頭企業(yè)的嚴格認證與批量采購。

該項目有力推動高性能芯片高密度互連封裝制造關(guān)鍵技術(shù)及裝備的自主可控，服務(wù)企業(yè)千余家，為我國電子制造產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展做出了突出貢獻。

此前，“面向高性能芯片的高密度互連封裝制造關(guān)鍵技術(shù)及裝備”項目暨“電子器件高密度封裝的微細陣列制造關(guān)鍵技術(shù)與裝備”項目入選2023年度廣東省科學(xué)技術(shù)獎技術(shù)發(fā)明獎一等獎公示名單。

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科技獎勵是我國長期堅持的激勵科技創(chuàng)新的重要基礎(chǔ)制度，是我們黨“尊重勞動、尊重知識、尊重人才、尊重創(chuàng)造”方針的具體體現(xiàn)。2023年度國家科學(xué)技術(shù)獎共評選出國家最高科學(xué)技術(shù)獎2人，國家自然科學(xué)獎49項，國家技術(shù)發(fā)明獎62項，國家科學(xué)技術(shù)進步獎139項，中華人民共和國國際科學(xué)技術(shù)合作獎10人。

公司在集成電路領(lǐng)域提供全制程一體化解決方案，致力推動中國“芯”征程。大族激光旗下全資子公司深圳市大族半導(dǎo)體裝備科技有限公司憑借卓越的技術(shù)創(chuàng)新及綜合實力，曾摘得2022年度“廣東省科技進步獎”一等獎及“深圳市科技進步獎”二等獎。近年來，大族半導(dǎo)體不斷探索新型科研形式，先后推出涂膠顯影、清洗、濕法刻蝕、剝離去膠等設(shè)備；突破封鎖，推出大族激光首臺Film Cut (OLED EAC制程設(shè)備)及國內(nèi)首臺高真空激光設(shè)備Laser Driling（OLED蒸鍍段制程設(shè)備）等。

國家科學(xué)技術(shù)進步獎是國務(wù)院設(shè)立的國家科學(xué)技術(shù)獎5大獎項之一。此次獲獎是對公司技術(shù)創(chuàng)新、產(chǎn)學(xué)研技術(shù)成果落地、高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)化，以及校企合作多元化、深入化等的高度認可，大族激光將繼續(xù)積極打造產(chǎn)業(yè)鏈、創(chuàng)新鏈、人才鏈等相互融合的創(chuàng)新生態(tài)，激發(fā)產(chǎn)業(yè)活力和發(fā)展動能，全力打造在全省、全國具有影響力的創(chuàng)新高地。